踢被GO

首先要了解背照式感測器前，我們要先了解一下一般CMOS技術製程，其實用最簡單易懂的話來描述半導體的製造，其實和漢堡差不多，都是一層一層的堆疊上去，只是有一點不同的時，所有的主動元作都必需放在底層的基板，而上面的幾層都只是金屬走線

▼一般的半導體流程大約如下，事實上半導體的流程和圖中有一點不符合，而且更為複雜，但是為了簡單說明起見，所以做了一點修改，讓大家更能明白整個製作方法。

１. 先拿一板半導體基板		2. 在基板上置入感光元件		3. 置入完成之後，再放一層絶緣層保護
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4.在絶緣層上方放置金屬走線，使主動元作，可以傳遞信號		5. 重複放絶緣層以及走線，直接走線層足夠，一般通常走線層為3~5層		6. 完工
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▼大家可以輕易從上面地半導體製成流程中發現，整個光轉電的感光元件是放在整個IC的底層，而且被層層的絶緣物質所覆蓋，最主要的原因是因為主動區上方要走金屬導線來將所有元件連接，但是如此一來，當光源進來的時候，就必須經過一層又一層的絶緣物質，但是大家要明白絶緣物質，不是高透光以及色散發物質，因此當光打到底部時，不但光量減半，而且還嚴重色散

▼因為就有人想說，如果我把感測元件放在整個製程的最外面，直接照光，不要經過任何絶緣物，那不是一來感光量大層，二來又可以降低非理想的色散，但是一般來說標準的半導體流程不允許這樣子做，而且主動區和金屬線的連接方式也定好了，根本無法改變，所以就有人想到，那乾脆把感測元件置在基板的背面不就好了，也因此背照式感測器就出現了

▼由於感光元件不需要經過層層的絶緣物，因此感光量大增，雖然背照式的感測器在多年前就有實驗室的論文，但是到了量產實用以及製程技術的克服卻是近幾年的事，未來這個新式的感測器技術，可能將掀起一波相機的大革命．大家也請準備好小朋友準備換相機吧!

Reference:

1.解析背照式传感器的神奇

2. [新科技]SONY發表背照式CCD/CMOS

3.従来比約2倍(*1)の感度および低ノイズで高画質を実現した、裏面照射型CMOSイメージセンサー 新開発

4. [新科技]顛覆傳統的背照式CMOS